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タイトル: Low-Loss and High-Voltage III-Nitride Transistors for Power Switching Applications
著者: Kuzuhara, Masaaki
Tokuda, Hirokuni
キーワード: GaN
HEMT
breakdown voltage
current collapse
field plate
発行日: 2月-2015
出版者: IEEE.
掲載誌: IEEE Transactions on Electron Devices
巻: 62
号: 2
資料タイプ: Journal Article
URI: http://hdl.handle.net/10098/8722
http://hdl.handle.net/10461/26442
ISSN: 0018-9383
出現コレクション:01 雑誌等掲載論文

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