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タイトル: Dislocation reduction in heteroepitaxial InxGa1-xN using step-graded interlayer for future solar cells
著者: Hossain, Md. Arafat
Islam, Md. Rafiqul
Hossain, M. K.
Hashimoto, A.
Yamamoto, A.
キーワード: InGaN
Critical thickness
Misfit dislocation
Threading dislocation
Interlayer
発行日: 12月-2013
掲載誌: Materials for Renewable and Sustainable Energy
巻: 2
号: 20
資料タイプ: Journal Article
URI: http://hdl.handle.net/10098/8096
http://hdl.handle.net/10461/25460
ISSN: 2194-1459
出現コレクション:01 雑誌等掲載論文

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Dislocation reduction in heteroepitaxial InxGa1-xN using step-graded interlayer for future solar cells.pdf

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