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タイトル: A method to increase sheet electron density and mobility by vacuum annealing for Ti/Al deposited AlGaN/GaN heterostructures
著者: Tokuda, Hirokuni
Kojima, Toshikazu
Kuzuhara, Masaaki
キーワード: GaN
ohmic contact
anneal
発行日: 8月-2012
掲載誌: Applied Physics Letters
巻: 101
資料タイプ: Journal Article
URI: http://hdl.handle.net/10098/7418
http://hdl.handle.net/10461/24852
出現コレクション:01 雑誌等掲載論文

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