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第46巻(1998) >

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タイトル: サブミクロンMOSFETにおける2次元表面電位分布による閾値電圧の解析
その他のタイトル: Study of Threshold Voltage for Submicronmeter MOSFET's based on Two-Dimensiona1 Surface Potential Distribution
著者: 片山, 功
山本, 弘明
KATAYAM, lsao
YAMAMOTO, Hiroaki
キーワード: Submicronmeter MOSFET.
Short-Channel Effect
Threshold Voltage
Miminum Potential
発行日: 3月-1998
掲載誌: 福井大学工学部研究報告
巻: 46
号: 1
資料タイプ: Departmental Bulletin Paper
URI: http://hdl.handle.net/10098/3389
http://hdl.handle.net/10461/23231
ISSN: 04298373
出現コレクション:第46巻(1998)

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