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遠赤外領域開発研究 第1巻(2000)-第14巻(2013) >
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タイトル: SI-GaAs 基板上にある金属開口によるテラヘルツ放射増大の測定
その他のタイトル: Terahertz emission enhancement using a metallic hole on a SI-GaAs semiconductor
著者: ケ, クリストファー
エスタシオ, エルマー
中島, 秀和
高野, 恵介
山本, 晃司
萩行, 正憲
マイケル, バクノフ
谷, 正彦
CHRISTOPHER, Que
ESTACIO, Elmer
NAKAJIMA, Hidekazu
TAKANO, Keisuke
HANGYO, Masanori
BAKUNOV, Michael
TANI, Masahiko
発行日: 6月-2011
掲載誌: 遠赤外領域開発研究
巻: 12
資料タイプ: Research Paper
URI: http://hdl.handle.net/10098/3668
http://hdl.handle.net/10461/23115
出現コレクション:第12巻(2011)

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遠赤12-23.pdf

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