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タイトル: Tree-Like Features Formed on Photoelectrochemically etched n-GaN surfaces ―Revelation of threading dislocations in GaN―
著者: YAMAMOTO, Akio
AZUMA, Katsuhiko
YASUDA, Tomomi
HASHIMOTO, Akihiro
キーワード: GaN
photoelectrochemical etching
detection of dislocations
current density
tree-like feature
発行日: 30-11月-2000
出版者: The Institute of Pure and Applied Physics
掲載誌: Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors
資料タイプ: Journal Article
シリーズ番号/レポート番号: IPAP Conference Series 1
URI: http://hdl.handle.net/10098/2228
http://hdl.handle.net/10461/21064
出現コレクション:01 雑誌等掲載論文

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IPAP Conf. Series 1 p.778-781.pdf

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