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タイトル: Significance of the Suppression of Substrate Surface Nitridation for Epitaxial Growth of Wurtzite InN on GaP(111) and InP(111) Substrates
著者: BHUIYAN, Ashraful Ghani
YAMAMOTO, Akio
HASHIMOTO, Akihiro
ISHIGAMI, Ryuya
キーワード: InN
GaP(111)B
InP(111)B
MOCVD
Nitridation
XPS
RHEED
AFM
発行日: 30-11月-2000
出版者: The Institute of Pure and Applied Physics
掲載誌: Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors
資料タイプ: Journal Article
シリーズ番号/レポート番号: IPAP Conference Series 1
URI: http://hdl.handle.net/10098/2225
http://hdl.handle.net/10461/21032
出現コレクション:01 雑誌等掲載論文

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IPAP Conf. Series 1 p.343-346.pdf

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